[发明专利]一种防止存储器芯片内部存储单元上下电被改写电路结构有效
| 申请号： | 201310561969.1 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594113A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张爱东;金建明 | 申请（专利权）人： | 无锡普雅半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214102 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器芯片的安全性设计，具体为一种防止存储器芯片内部存储单元上下电被改写电路结构，其电路结构简单，成本低，不会出现内部存储单元上下电时被改写的问题，其包括复位电路，复位电路连接存储器控制逻辑电路和存储单元，存储单元通过控制线、地址线、数据线连接存储器控制逻辑电路，存储器控制逻辑电路连接芯片接口电路，其特征在于，存储器控制逻辑电路上设置复位地址控制逻辑电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 存储器 芯片 内部 存储 单元 上下 改写 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种防止存储器芯片内部存储单元上下电被改写电路结构，其包括复位电路，所述复位电路连接存储器控制逻辑电路和存储单元，所述存储单元通过控制线、地址线、数据线连接存储器控制逻辑电路，所述存储器控制逻辑电路连接芯片接口电路，其特征在于，所述存储器控制逻辑电路上设置复位地址控制逻辑电路。
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