[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板有效
| 申请号： | 201310562123.X | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103560112A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李文辉;曾志远 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/43;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板，所述方法包括：步骤1、提供基片（20）；步骤2、在基片（20）上形成预定结构的栅极（22）；步骤3、在栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的金属信号线（26）；步骤5、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的氧化物半导体层（28）；步骤6、在栅极绝缘层（24）、金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）上形成预定结构的钝化层（32）；步骤7、在所述金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）、钝化层（32）上形成预定结构的源/漏极（34），以形成薄膜晶体管基板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基片（20）；步骤2、在基片（20）上形成预定结构的栅极（22）；步骤3、在栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的金属信号线（26）；步骤5、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的氧化物半导体层（28）；步骤6、在栅极绝缘层（24）、金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）上形成预定结构的钝化层（32）；步骤7、在所述金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）、钝化层（32）上形成预定结构的源/漏极（34），以形成薄膜晶体管基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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