[发明专利]金属栅极CMP工艺及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310562536.8 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104637798B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L21/321 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及金属栅极CMP工艺及半导体器件的制造方法。根据本公开的实施例，在完成栅极抛光的清洗步骤中，可以通过化学清洗剂及其酸性的选择，使得在形成有金属栅极的半导体晶片的表面与所陷落的颗粒之间产生静电斥力，从而能够去除所陷落的颗粒。因此，能够避免由所陷落的颗粒导致的金属栅极之间的桥接，保证栅极的电隔离，提高所形成的半导体器件的性能和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 cmp 工艺 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光(CMP)工艺，包括：使用研磨剂对其上形成有金属栅极的半导体晶片的表面进行抛光，其中在完成所述抛光之后，所述金属栅极从所述表面突出；在完成所述金属栅极的抛光之后，使用第一有机酸来对所述半导体晶片进行溶液抛光，以去除由所述金属栅极的抛光所引入的陷落在所述表面上的颗粒的一部分，其中所述第一有机酸具有能够去除所述颗粒的酸性；以及在完成所述溶液抛光之后，使用第二有机酸作为化学清洗剂对所述半导体晶片进行清洗，以进一步去除所述颗粒，其中所述第二有机酸具有能够去除所述颗粒的酸性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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