[发明专利]功率半导体装置用铝合金细线有效
| 申请号： | 201310565799.4 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103911526A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 天野裕之;市川司 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | C22C21/00 | 分类号： | C22C21/00;H01L23/49 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王彦慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明改进功率半导体用铝合金接合线的芯片裂纹和热冲击试验特性。本发明涉及一种铝合金细线，其中，包括0.01～0.2质量％的铁(Fe)1～20质量ppm的硅(Si)及剩余部分(纯度在99.997质量％以上的铝(Al)合金)，其中：Fe的固溶量为0.01～0.6％，Fe的析出量是Fe的固溶量的7倍以下，而且由平均晶体粒径为6～12μm的微细组织构成。本发明能够减少AlFe化合物的析出，改进热冲击试验特性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 铝合金 细线 | ||
【主权项】：
一种功率半导体装置用铝合金细线，其特征在于：是由铁Fe、硅Si及剩余部分构成且用于与半导体元件的铝垫进行超声波接合的铝合金细线，所述剩余部分为高纯度的铝，所述铝合金细线是由0.01～0.2质量％的铁Fe、1～20质量ppm的硅Si及剩余部分构成的Al合金，所述剩余部分为纯度99.997质量％以上的铝Al，所述铝合金细线是Fe的固溶量为0.01～0.06％、Fe的析出量为Fe的固溶量的7倍以下、且平均晶体粒径为6～12μm的微细组织。
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