[发明专利]一种改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法在审
| 申请号： | 201310565850.1 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103646913A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;蒋涛;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;贾慧琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法，该方法是将k值为1.6-2.0的超低介电常数多孔SiCOH薄膜，在环境温度下，置于紫外光下进行照射，以提高薄膜的抗吸湿性能，其中，紫外光波长范围为200-400nm，环境温度为50-100℃，照射时间为2-10小时。通过上述处理，薄膜的抗吸湿性能显著改善，而不影响薄膜的其他性能；常温下在湿度为80%的环境中静置12h以上k值仅上升1-5%。本发明所提出的方法，不仅能改善薄膜的疏水性能，还能改善薄膜的力学性能（杨氏模量和硬度）以及漏电性能；操作过程简单、可控性好、成本低。本发明的方法所得到的SiCOH薄膜具有足够低的介电常数（k<2.0）以及满足集成电路互连工艺所要求的性能，能够很好地与22nm特征尺寸下的互连工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 介电常数 多孔 sicoh 薄膜 吸湿 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法，其特征在于，该方法是将k值为1.6‑2.0的超低介电常数多孔SiCOH薄膜，在环境温度下，置于紫外光下进行照射，以提高薄膜的抗吸湿性能，其中，紫外光波长范围为200‑400nm，环境温度为50‑100℃，照射时间为2‑10小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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