[发明专利]基于薄膜晶体管的动态随机存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于薄膜晶体管的动态随机存储器及其制备方法，属于平板显示系统制造领域。本发明在玻璃或者柔性塑料的衬底上制备动态随机存储器的栅电极、栅氧化层、浮栅、有源区、源电极和漏电极；该存储器形成有一个薄膜晶体管和一个浮栅薄膜晶体管，其中浮栅薄膜晶体管中的浮栅用作电荷存储媒介，它通过其旁边的薄膜晶体管来完成编程和擦除操作。状态的读取则通过浮栅薄膜晶体管来完成。本发明提供的动态随机存储器擦写速度快，刷新周期长，读取后无需自刷新操作，制备工艺与系统面板制造相兼容，因此在平板显示和柔性电子领域具有广阔的应用前景。

主权项

一种基于薄膜晶体管的动态随机存储器，其特征在于，该存储器包含一个薄膜晶体管和一个浮栅薄膜晶体管，该浮栅薄膜晶体管的浮栅用于存储电荷，它与该薄膜晶体管的漏极相连接通过薄膜晶体管充电或放电；该存储器中包含以下结构：衬底（1）；栅电极，包含薄膜晶体管的栅电极（3）和浮栅薄膜晶体管的栅电极（2），其相互隔开分别形成在所述衬底（1）上；第一层栅氧化层（4），形成在所述栅电极之上，还形成在所述衬底（1）上没有被所述栅电极覆盖的位置之上；薄膜晶体管的有源区（5），形成在所述第一层栅氧化层（4）上，并与下方所述薄膜晶体管的栅电极（3）的位置相对应；薄膜晶体管的源电极和漏电极（6）与浮栅薄膜晶体管的浮栅（7），各自按照设定的图案形成在所述薄膜晶体管的有源区（5）和所述第一层栅氧化层（4）之上；第二层栅氧化层（8），形成在所述薄膜晶体管的源电极和漏电极（6），所述浮栅薄膜晶体管的浮栅（7），以及未被两者覆盖的第一层栅氧化层（4）和薄膜晶体管的有源区（5）之上；浮栅薄膜晶体管的有源区（9），形成在所述第二层栅氧化层（8）上，并与下方所述浮栅薄膜晶体管的栅电极（2）的位置相对应；浮栅薄膜晶体管的源电极和漏电极（10），设有两个相互隔开的区域，各自按照设定的图案，从所述浮栅薄膜晶体管的有源区（9）上连续延伸到位于所述衬底（1）及第一层栅氧化层（4）上方的第二层栅氧化层（8）之上。