[发明专利]用于P型GaN激活的激光退火装置及激光退火方法在审
| 申请号： | 201310566161.2 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103586580A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 王晓峰 |
| 主分类号： | B23K26/073 | 分类号： | B23K26/073;B23K26/06;B23K33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于P型GaN激活的激光退火方法及激光退火装置。在本发明中，从碟片激光器或其它类型激光器出射的绿光波段的激光(515nm或532nm波长)经过光束整形装置后(光纤整形或光学整形系统整形)入射到P型掺杂的GaN表面，在激光产生的热作用下，完成P型GaN的掺杂激活，得到有效的P型掺杂，从而有效提高LED发光效率和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 激活 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于P型GaN激活的激光退火方法，从碟片激光器或其它类型激光器出射的波长为515nm或532nm的激光经过匀化整形后成为特定形状的平顶光斑，而后入射到P型掺杂的GaN表面，在激光产生的热作用下，完成P型GaN的掺杂激活，通过激光光束和GaN基片的相对移动，完成基片所有区域的掺杂激活。
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