[发明专利]胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物,其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201310566230.X 申请日: 2013-11-14
公开(公告)号: CN103554106A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 张志国;王吉政;靳志文;李永舫 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: C07D471/06 分类号: C07D471/06;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/54
代理公司: 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 代理人: 刘元霞
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物及其制备方法与应用。本发明提供的胺基修饰的苝二酰亚胺衍生物,其结构通式如式I或式II所示,其中,R1选自C1-C10的亚烷基;R2可以相同或不同,各自独立地选自H,C1-C10的烷基,R4取代的C1-C10的烷基;其中R4选自羟基、卤素,烷氧基;R3可以相同或不同,各自独立地选自H、OH、N(R52、Cl或Br,其中R5相同或不同,选自H或C1-6烷基。这些苝二酰亚胺材料合成路线具有简单高效、环境污染小、原料廉价、合成成本低、具有很好普适性和重复性等优点,所述胺基\氧化胺极性基团不含有对阴离子,显著提高器件的稳定性。
搜索关键词: 胺基 氧化 修饰 苝二酰 亚胺 衍生物 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种胺基修饰的苝二酰亚胺衍生物,其结构通式如式I或式II所示,其中,R1选自C1-C10的亚烷基;R2可以相同或不同,各自独立地选自H,C1-C10的烷基,R4取代的C1-C10的烷基;其中R4选自羟基、卤素(优选F,Cl,Br),烷氧基(如C1-6烷氧基,优选C1-3烷氧基)R3可以相同或不同,各自独立地选自H、OH、N(R52、Cl或Br,其中R5相同或不同,选自H或C1-6烷基。
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