[发明专利]具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层及其形成方法有效
| 申请号： | 201310566294.X | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104637992B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 陈韦廷;黄家琦;黄俊杰;胡友元 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 姜怡;阚梓瑄 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，包括：第一氮化硅膜；设置于第一氮化硅膜之上的第二氮化硅膜；设置于第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中第一氮化硅膜与第三氮化硅膜的厚度小于第二氮化硅膜的厚度，第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于第二氮化硅膜中的N‑H键含量，且第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N‑H键含量之差不小于5%。还提供上述栅极绝缘层的形成方法。本发明的栅极绝缘层，内在致密性存在差异，使得蚀刻速度产生差异，从而能够形成具有理想蚀刻角度的斜坡状侧面轮廓。此外，本发明的三层氮化硅膜在同一腔室中以相同原料气体一次性连续形成，工艺简单、成本低，且三层均为氮化硅膜，具有良好的界面性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅膜 蚀刻 栅极绝缘层 三层 斜坡状侧面 界面性能 连续形成 同一腔室 原料气体 一次性 致密性 | ||
【主权项】：
1.一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，该栅极绝缘层包括：第一氮化硅膜、设置于所述第一氮化硅膜之上的第二氮化硅膜、设置于所述第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中所述第一氮化硅膜与所述第三氮化硅膜的厚度小于所述第二氮化硅膜的厚度，所述第一氮化硅膜与所述第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于所述第二氮化硅膜中的N‑H键含量，所述第一氮化硅膜中的N‑H键含量低于10％，所述第二氮化硅膜中的N‑H键含量高于20％，所述第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于15％，且所述第三氮化硅膜与所述第一氮化硅膜中的N‑H键含量之差不小于5％，其中所述栅极绝缘层的蚀刻角度介于40～60°之间。
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