[发明专利]一种基于共振隧穿机制的失调馈送缝隙天线在审
| 申请号： | 201310566339.3 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103560327A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李建雄;李运祥;陈晓宇;蒋昊林 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01Q13/10 | 分类号： | H01Q13/10;H01Q1/22;H01Q5/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300160*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于共振隧穿机制的失调馈送缝隙天线，属于天线领域。本发明包括失调馈送缝隙天线，共振隧穿二极管(RTD)；共振隧穿二极管作为激励器件，用于产生太赫兹波；失调馈送缝隙天线作为电磁波发射器件，用于把共振隧穿二极管产生的太赫兹波发射出去。所述RTD的上电极通过热沉与失调馈送缝隙天线的左电极相连；所述RTD的下电极与失调馈送缝隙天线的右电极相连。本发明在超高速数据链路传输、无线通信和军事国防等领域具有重要应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 共振 机制 失调 馈送 缝隙 天线 | ||
【主权项】：
一种基于共振隧穿机制的失调馈送缝隙天线，其特征是：所述共振隧穿二极管(RTD)的上电极通过热沉与缝隙天线的左电极相连；所述RTD的下电极与缝隙天线的右电极相连；左右电极之间插入二氧化硅，防止二者相互接触，同时在缝隙天线两端形成MIM(金属‑绝缘介质‑金属)反射器；RTD距离缝隙天线的中心有一定的偏移量S，通过改变偏移量S的大小，可以满足RTD在不同频段的振荡，实现RTD与缝隙天线结合后满足发射不同频段的太赫兹波的要求；所述缝隙天线可以分为长缝天线和短缝天线，且二者具有不同的振荡频率，而整个缝隙天线的频率主要由短缝天线决定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津工业大学，未经天津工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310566339.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
