[发明专利]CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法

摘要

提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：步骤一，对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二，执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三，执行去胶；步骤四，执行刻蚀阻挡层刻蚀，以打开层间介质层刻蚀阶段的刻蚀阻挡层，使接触孔到达底部的镍硅化物层；步骤五，执行聚合物去除，用以清除刻蚀阻挡层刻蚀过程中等离子体与氮化硅形成的富碳氟的聚合物；步骤六，执行氧化硅去除步骤，以刻蚀像素区域硅栅和有源区域上方的氧化硅层。

主权项

一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于包括：步骤一：对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二：执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，其中，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三：执行去胶；步骤四：执行刻蚀阻挡层刻蚀，用于打开层间介质层刻蚀阶段的刻蚀阻挡层，使接触孔到达底部的镍硅化物层；步骤五：执行聚合物去除，用以清除刻蚀阻挡层刻蚀过程中等离子体与氮化硅形成的富碳氟的聚合物；步骤六：执行氧化硅去除步骤，用于刻蚀像素区域硅栅和有源区域上方的氧化硅层。