[发明专利]电阻型随机存取存储器的均衡及感测有效
申请号: | 201310566574.0 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN103871462B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | H·纳扎里安;桑·阮 | 申请(专利权)人: | 科洛斯巴股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明具体涉及电阻型随机存取存储器的均衡及感测,提供了一种可以结合存储器操作来减轻潜通路电流的两端存储器架构。通过举例,可以应用电压模拟机制来将所述存储器架构的未被选定的位线动态地驱动至由选定的位线所观测得到的电压。根据这些方面,还可以将所述被选定的位线所观测到的变化施加给所述未被选定的位线。这样可以有助于减少或避免在所述被选定位线与所述未被选定的位线之间的电压差,从而减少或避免在所述存储器架构的各个位线之间的潜通路电流。此外,根据本发明的其他方面,提供基于输入/输出的配置来促进潜通路电流的减少。 1 | ||
搜索关键词: | 位线 存储器架构 通路电流 电阻型随机存取存储器 感测 观测 均衡 结合存储器 输入/输出 模拟机制 选定位线 应用电压 电压差 施加 驱动 配置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:一组两端存储器件;一组位线互连,该组位线互连中的各个位线互连连接至所述一组两端存储器件的各个子集的各个第一端,并且配置为通过施加偏置电压使所述一组两端存储器件的子集中的各个子集激活或去激活;以及偏置电压复制电路,其配置为,动态地跟踪所述一组位线互连中的选定的位线互连处的观测电压,该电压是在所述一组位线中的选定位线上施加所述偏置电压而产生的,并将动态追踪到的所述观测电压施加在所述一组位线互连中的未被选定的位线互连上。
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