[发明专利]一种微波薄膜电容集成方法有效
| 申请号： | 201310567008.1 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103617888A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王斌;宋振国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微波薄膜电容集成方法，步骤一：将一个电容分解成若干个电容串联的结构；步骤二：真空镀膜并光刻蚀下电极图形；步骤三：真空镀膜并光刻蚀介质层图形；步骤四：真空镀膜并光刻蚀上电极图形；步骤五：电镀上电极图形及下电极图形。采用上述方案，解决了采用大介电常数、低损耗因数介质材料制作小容值薄膜电容的工艺实现困难问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 薄膜 电容 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种微波薄膜电容集成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将一个电容分解成若干个电容串联的结构；步骤二：真空镀膜并光刻蚀下电极图形；步骤三：真空镀膜并光刻蚀介质层图形；步骤四：真空镀膜并光刻蚀上电极图形；步骤五：电镀上电极图形及下电极图形。
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