[发明专利]一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 201310567148.9 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103745925A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 任东 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张艳杰;张浴月 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法，一种平坦化多晶硅的制造方法，将非晶硅薄膜制备成多晶硅薄膜，包括以下步骤：采用准分子激光对所述非晶硅薄膜经行预结晶处理，形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜的表面进行处理，去除多晶硅薄膜表面的氧化层；再次采用准分子激光对去除表面氧化层的多晶硅薄膜表面进行再次结晶处理。本发明提供的平坦化多晶硅的制造方法，能够有效地降低多晶硅薄膜表面的粗糙度，并且工艺简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平坦 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法，将非晶硅薄膜制备成多晶硅薄膜，其特征在于，包括以下步骤：采用准分子激光对所述非晶硅薄膜进行预结晶处理，形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜的表面进行处理，去除多晶硅薄膜表面的氧化层；再次采用准分子激光对去除表面氧化层的多晶硅薄膜表面进行再次结晶处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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