[发明专利]一种晶圆边缘保护环及减少晶圆边缘颗粒的方法有效

专利信息
申请号: 201310569010.2 申请日: 2013-11-15
公开(公告)号: CN103730318A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 周旭升;徐朝阳;倪图强;许颂临 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/683
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 张静洁;包姝晴
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种晶圆边缘保护环及减少晶圆边缘颗粒的方法,所述保护环位于等离子体处理装置的反应腔内,所述保护环能够在对晶圆进行处理反应的过程中覆盖在晶圆的边缘位置,来承载包含聚合物的处理反应副产品;所述保护环能够在释放晶圆的过程中移动,并将聚集的所述聚合物带离晶圆。本发明结构简单、便于控制,能够有效减少晶圆边缘的颗粒,保证晶圆边缘芯片的质量。
搜索关键词: 一种 边缘 保护环 减少 颗粒 方法
【主权项】:
一种用于等离子处理装置的晶圆边缘保护环,其特征在于,所述保护环(70)位于等离子体处理装置的反应腔(10)内,所述反应腔(10)内包括处理台(30),晶圆(60)设置在所述处理台(30)上;所述保护环(70)能够在对晶圆(60)进行处理反应的过程中定位到第一状态,以使该保护环(70)覆盖在晶圆(60)的边缘位置,用来承载包含聚合物的处理反应副产品;所述保护环(70)能够在释放晶圆(60)前定位到第二状态,以使该保护环(70)移动到远离晶圆(60)的位置,从而将聚集的所述聚合物带离晶圆(60)。 
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