[发明专利]磁场调控的超分辨荧光成像方法无效
| 申请号： | 201310571202.7 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103575716A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王宏达;张敏;蔡明军;蒋俊光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种磁场调控的超分辨荧光成像方法，涉及光学显微镜成像测量方法技术领域，克服了现有的应用于超分辨成像方法的荧光探针转换次数和发射光子数少的问题。外加磁场影响探针发光的超分辨荧光成像方法，在标记了荧光探针的待测样品附近施加一个外磁场，同时进行超分辨成像的数据采集；利用软件对采集到的数据进行分析。本发明的磁场调控的超分辨荧光成像方法增大了染料等荧光探针的发射光子数，提高了超分辨成像分辨率，并且使超分辨成像方法进一步发展。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 调控 分辨 荧光 成像 方法 | ||
【主权项】：
一种磁场调控的超分辨荧光成像方法，其特征在于，该方法具有如下步骤：步骤一、用荧光探针标记待测样品，将它们铺在载玻片上，加入成像缓冲液，盖上盖玻片并封片；步骤二、在待测样品附近施加一个外磁场，控制外磁场的大小和方向；步骤三、对修饰了荧光探针的待测样品进行超分辨成像的数据采集；步骤四、将采集到的数据进行分析。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春应用化学研究所，未经中国科学院长春应用化学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310571202.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可用作SGLT2的抑制剂的化合物的制备方法
- 下一篇：照明装置
