[发明专利]电容及其制造方法在审
| 申请号： | 201310571314.2 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104638029A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;周正良;潘嘉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/334 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容，下极板由掺杂的硅衬底组成；介质层由底部热氧化层、氮化硅层和顶部热氧化层组成，顶部热氧化层由对氮化硅层的表面进行热氧化形成；上极板由形成于顶部热氧化层表面的掺杂多晶硅组成。本发明还公开了一种电容的制造方法。本发明能提高单位面积电容值并同时保持较高击穿电压，能缩小电容器件面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容，其特征在于，包括：下极板，由掺杂的硅衬底组成，所述硅衬底的硅为单晶硅；介质层，由底部热氧化层、氮化硅层和顶部热氧化层组成，所述底部热氧化层由对所述硅衬底的表面进行热氧化形成，所述氮化硅层形成于所述底部热氧化层表面，所述顶部热氧化层由对所述氮化硅层的表面进行热氧化形成；上极板，由形成于所述顶部热氧化层表面的掺杂多晶硅组成。
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