[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201310571317.6 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103840026A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 许光秀;李东浩;申在镐 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基底；在所述基底上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层，所述光吸收层包括Se和S；以及在所述光吸收层上的缓冲层；所述光吸收层包括从所述光吸收层的邻近所述缓冲层的表面延伸的耗尽区，所述耗尽区具有在约0.10-约0.30范围内的平均S/(Se+S)摩尔比。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
太阳能电池，包括：基底；在所述基底上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层，所述光吸收层包括Se和S；和在所述光吸收层上的缓冲层；和其中所述光吸收层包括从所述光吸收层的邻近所述缓冲层的表面延伸的耗尽区，所述耗尽区具有在0.10‑0.30范围内的平均S/(Se+S)摩尔比。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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