[发明专利]一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法有效
| 申请号： | 201310571760.3 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103605844A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 方晶晶;陈岚;曹鹤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法，该CMP压力分布计算方法，包括，将芯片版图划分为若干个窗格，并选取任一窗格为当前窗格；判断所述当前窗格的接触模式；根据所述当前窗格的接触模式和弹性力学模型计算所述当前窗格的压力；其中，所述弹性力学模型由研磨垫的弹性模量、面积、整体位移以及当前窗格的接触模式、高度、和面积共同确定。该CMP压力分布计算方法把研磨垫简化成弹性体，提出了计算CMP压力分布的弹性力学模型，该模型相较于现有技术的CMP压力计算模型降低了压力计算的复杂度，能够较为快速地获取到实时的CMP过程中的压力分布，提高了效率，进而提高了其实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 压力 分布 计算方法 研磨 去除 获取 方法 | ||
【主权项】：
一种CMP压力分布计算方法，其特征在于，包括，将芯片版图划分为若干个窗格，并选取任一窗格为当前窗格；判断所述当前窗格的接触模式，所述当前窗格的接触模式由所述当前窗格的相关窗格的高度与其对所述当前窗格的影响因子的乘积和所述当前窗格的高度的关系确定；其中，所述窗格的高度是指从所述窗格所在芯片的基准线到芯片的表面之间的距离；根据所述当前窗格的接触模式和CMP压力分布计算模型计算所述当前窗格的压力；其中，所述CMP压力分布计算模型由研磨垫的弹性模量、面积、整体位移以及当前窗格的接触模式、高度和面积共同确定。
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