[发明专利]离子注入装置及离子注入方法有效
| 申请号： | 201310571808.0 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811257A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 真锅和久;八木田贵典 | 申请（专利权）人： | 斯伊恩股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/248 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置（400）具备向被处理物（W）注入离子的注入处理室（306）、高电压部（312）及在多个能量设定中的任意设定下对高电压部（312）施加电位的高电压电源系统（314），其中，高电压部（312）具备生成离子的离子源部（302）及设置于离子源部（302）与注入处理室（306）之间的射束输送部（304）。高电压电源系统（320）具备用于使流入被处理物（W）的射束电流返回到离子源部（302）的多个电流路径，使多个能量设定分别与多个电流路径中的任1个电流路径对应。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入装置，其特征在于，具备：注入处理室，向被处理物注入离子；高电压部，其具备生成所述离子的离子源部及设置于所述离子源部与所述注入处理室之间的射束输送部；及高电压电源系统，其在多个能量设定中的任一设定下对所述高电压部施加电位，所述高电压电源系统具备用于使流入所述被处理物的射束电流返回到所述离子源部的多个电流路径，使所述多个能量设定分别与所述多个电流路径中的任1个电流路径对应。
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