[发明专利]一种具有界面栅的SOI功率器件结构有效
| 申请号： | 201310572042.8 | 申请日： | 2013-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103560145A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;陈银晖;金晶晶;朱志;武星河;雷剑梅;周喜川 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋氧层表面，当栅极打开时，界面栅为载流子提供额外的积累型沟道，所以可以有效降低器件导通电阻。同时，界面栅对漂移区的辅助耗尽效应，使得优化的器件漂移区掺杂浓度更高，进一步降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 界面 soi 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种具有界面栅的SOI功率器件结构，从下向上依次设置有衬底P/N型硅层、埋氧层、n‑漂移区和有源顶层硅，其特征在于：还包括槽型多晶硅栅，所述槽型多晶硅栅设置于n‑漂移区和有源顶层硅一侧，所述槽型多晶硅栅一端与有源顶层硅平齐，另一端设置于埋氧层内。
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