[发明专利]掺锗硅衬底、其制备方法及包括其的太阳能电池

摘要

本发明公开了一种掺锗硅衬底、其制备方法及包括其的太阳能电池。该掺锗硅衬底包括P型晶体硅主体，P型晶体硅主体的上表面上具有经锗掺杂形成的第一掺锗区。该掺锗硅衬底在硅衬底的至少上表面上形成掺锗区，在该掺锗区中锗原子的存在，增大了P型晶体硅主体中硼与氧或杂质铁生成B-O复合体和B-Fe复合体的反应能垒。在光照的条件下，硼与氧或杂质铁的复合反应更难进行。这样便能够有效改善太阳能电池因硼的减少而造成的光衰减问题。

主权项

一种掺锗硅衬底，其特征在于，包括P型晶体硅主体（10），所述P型晶体硅主体（10）的上表面上具有经锗掺杂形成的第一掺锗区（110）。