[发明专利]一种具有异质侧壁结构加热电极的相变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310574066.7 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103606624B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 亢勇;陈邦明;任万春;向阳辉;詹奕鹏;吴汉明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明记载的一种具有异质侧壁结构加热电极的相变存储器及其制备方法，通过采用具有异质侧壁的加热电极，且该加热电极邻近相变材料层附近的区域的电阻率大于远离该相变材料层的区域的电阻率，进而在保证侧壁电极厚度均匀性的同时，还使得加热电极主要在相变材料附近产生的温度场，在有效预防加热电极断路的同时，还大大提高了加热电极的加热效率，降低功耗，且其制备工艺简单，易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 侧壁 结构 加热 电极 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有异质侧壁结构加热电极的相变存储器，包括一设置有器件结构的衬底，一介质层设置于该衬底的上表面，所述介质层中设置有相变材料层，其特征在于，所述相变存储器还包括：加热电极，该加热电极包括上部电极和下部电极；所述相变材料层依次通过所述上部电极和所述下部电极与所述衬底中的器件结构电连接；其中，所述上部电极的电阻率大于所述下部电极的电阻率；所述上部电极和所述下部电极源于同一Ti层，通过氮化工艺使部分Ti层转化为TiN形成所述上部电极，电阻率提高；所述上部电极和所述下部电极被配置成L型结构；位于所述介质层上的顶部电极；所述顶部电极覆盖所述相变材料层的上表面；接触孔；所述下部电极覆盖所述接触孔的上表面，以通过该接触孔与所述衬底中的器件结构电连接；所述下部电极竖直部分的宽度为2～100nm，所述上部电极竖直部分的宽度为2～20nm。
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