[发明专利]一种沟槽式肖特基二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310574660.6 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103646967A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;沈健;陈逸清 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽式肖特基二极管结构及其制备方法，所述沟槽式肖特基二极管结构至少包括：第一导电类型的衬底；多个沟槽结构，包括形成于所述衬底中的多个沟槽、结合于各该沟槽表面的介质层、以及填充于各该沟槽内的导电材料；其中，相邻两个沟槽结构之间的衬底表面包含有凹弧面；金属半导体化合物，形成于所述衬底表面；正面电极层，覆盖于所述金属半导体化合物及沟槽结构表面。本发明通过工艺改进，衬底表面的肖特基势垒层包括凹弧面结构，比起常规的平面形结构面积大大增大，从而有效降低正向压降VF，提高了器件性能。本发明的结构及制备方法简单，效果显著，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 式肖特基 二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式肖特基二极管结构，其特征在于，至少包括：第一导电类型的衬底；多个沟槽结构，包括形成于所述衬底中的多个沟槽、结合于各该沟槽表面的介质层、以及填充于各该沟槽内的导电材料；其中，相邻两个沟槽结构之间的衬底表面包含有凹弧面；金属半导体化合物，形成于所述衬底表面；正面电极层，覆盖于所述金属半导体化合物及沟槽结构表面。
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