[发明专利]IGBT的制作方法

摘要

本发明提供了一种IGBT的制作方法，包括：提供第一硅片和第二硅片，第二硅片为轻掺杂的硅片；在第一硅片和/或第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层，并使待形成缓冲层与第二硅片的掺杂类型相同；采用键合工艺将第一硅片和第二硅片键合在一起，形成键合硅片，使键合硅片的中间区域为待形成缓冲层，两侧区域中属于第一硅片的区域为衬底，属于第二硅片的区域为待形成漂移区。上述方法通过键合工艺形成缓冲层和漂移区解决了外延工艺导致的自掺杂问题，有利于提高器件的关断速度；键合得到的漂移区比外延生长的漂移区的表面平整度好、缺陷少，有利于后道工序的进行，提高了器件的性能和成品率；并且键合工艺相对于外延工艺的制作成本更低。

主权项

1.一种IGBT的制作方法，其特征在于，包括：提供第一硅片和第二硅片，所述第二硅片为轻掺杂的硅片；在所述第一硅片和所述第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层，并使所述待形成缓冲层与所述第二硅片的掺杂类型相同；采用键合工艺将所述第一硅片和所述第二硅片键合在一起，形成键合硅片，使所述键合硅片的中间区域为所述待形成缓冲层，两侧区域中属于所述第一硅片的区域为衬底，属于所述第二硅片的区域为待形成漂移区；在所述待形成漂移区背离所述待形成缓冲层的一侧内形成正面结构，并使所述待形成漂移区除所述正面结构外的区域作为漂移区；减薄所述衬底，以暴露出所述待形成缓冲层，其中，经过减薄后的所述待形成缓冲层的厚度不大于原所述待形成缓冲层的厚度；在所述待形成缓冲层背离所述漂移区的一侧内形成重掺杂的集电区和集电区金属层，使所述集电区与所述第二硅片的掺杂类型相反，并使所述待形成缓冲层除所述集电区和所述集电区金属层外的区域作为缓冲层；其中，所述在所述第一硅片和所述二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层包括：采用外延的方法在所述第一硅片的一侧生长外延层；采用原位掺杂的方法对所述外延层进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层；采用离子注入或热扩散的方法对所述第二硅片的一侧进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层。