[发明专利]磁体表面处理方法和烧结钕铁硼磁体有效
| 申请号： | 201310576424.8 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104651782B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王进东;张纪功;王湛;饶晓雷;胡伯平 | 申请（专利权）人： | 北京中科三环高技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/16;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 | 代理人： | 陈立航;郭红燕 |
| 地址： | 100190 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁体表面处理方法和烧结钕铁硼磁体。所述磁体表面处理方法包括以下步骤：预处理；通过真空清洗轰击来活化所述磁体的表面；成膜；以及后处理。所述成膜步骤由第一步工艺和第二步工艺依次交替重复进行。所述第一步工艺是：加热蒸发金属铝，同时打开离子源，使氩离子在蒸发区与铝蒸汽接触，以便将铝原子变成铝离子，保持氩分压在小于4×10‑1Pa的条件下，在所述磁体上加载不小于1000V的负偏压。所述第二步工艺是：保持氩分压在不小于5×10‑1Pa的条件下，在所述磁体上加载不小于200V的负偏压。所述烧结钕铁硼磁体的表面通过所述磁体表面处理方法而形成有金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁体 表面 处理 方法 烧结 钕铁硼 | ||
【主权项】：
1.一种磁体表面处理方法，包括以下步骤：A、预处理首先，对待处理磁体进行倒角，使其边角圆弧不小于0.2mm，接着，清除所述磁体上的油污和锈斑；B、通过真空清洗轰击来活化所述磁体的表面首先，在真空度不低于3×10‑2Pa的条件下，加热所述磁体至温度在50～120℃的范围内，接下来，充入氩气至真空度在1×10‑1～2Pa的范围内，然后，打开离子源，离化氩气产生氩离子对磁体进行清洗轰击，或者通过施加不小于200V的负偏压来进行清洗轰击，清洗轰击的时间不少于5分钟，或者打开离子源，离化氩气产生氩离子对磁体进行清洗轰击，同时通过施加不小于200V的负偏压来进行清洗轰击，清洗轰击的时间不少于5分钟；C、成膜第一步工艺，加热蒸发金属铝，同时打开离子源，使氩离子在蒸发区与铝蒸汽接触，以便将铝原子变成铝离子，保持氩分压在小于4×10‑1Pa的条件下，在所述磁体上加载不小于1000V的负偏压，第二步工艺，保持氩分压在不小于5×10‑1Pa的条件下，在所述磁体上加载不小于200V的负偏压，所述第一步工艺和所述第二步工艺依次交替重复进行，在所述磁体形成金属膜；D、后处理对在所述磁体形成的所述金属膜进行钝化处理。
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