[发明专利]表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法

摘要

表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。包括垂直腔面发射激光器、带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒。垂直腔面发射激光器从下到上为：N型背面电极、GaAs衬底、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR、有源区、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR，上DBR为凸台结构，台上中心位置从下到上是调谐电极、取向膜，台上边缘及台下部分从下往上为：SiO2绝缘层、P型注入电极和衬垫。带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为取向膜、调谐电极和玻璃。液晶盒中贮存有液晶。本发明通过改变调谐电压或者衬底温度来改变液晶层的折射率，引起上反射镜反射率的变化，实现对激光器输出光偏振状态的控制。

主权项

表面液晶‑垂直腔面发射激光器，其特征在于，该器件结构包括垂直腔面发射激光器，带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒三部分，其中，垂直腔面发射激光器结构从下到上依次为：N型背面电极(12)、底部GaAs衬底(11)、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR(10)、有源区(9)、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR(8)，其中，上DBR(8)为凸台结构，凸台结构的凸出部位中含有氧化限制层（13），所述的氧化限制层（13）平行上DBR(8)台面，氧化限制层（13）四周氧化而中心未氧化，中心未氧化部分形成出光孔；上DBR(8)凸出部位的中心位置上为调谐电极（2），调谐电极（2）正对且大于氧化限制层（13）的出光孔，上DBR(8)凸台结构的上台面除调谐电极（2）外、侧面、下台面均为保持凸台结构的SiO2绝缘层(7)，SiO2绝缘层(7)的下台面、侧面及上台面自内而外依次均为P型注入电极(6)和衬垫（4），其中P型注入电极(6)搭接在调谐电极（2）上，P型注入电极(6)和衬垫（4）在调谐电极（2）上方的位置均为缺失部分，缺失部分正对且大于上DBR(8)凸台结构的出光孔，在P型注入电极(6)缺失部位的调谐电极（2）上为取向膜（3），P型注入电极(6)和衬垫（4）的缺失部分与取向膜（3）构成槽体；在槽体与衬垫（4）的正上面为带有取向膜的ITO玻璃结构，槽体成为液晶盒，带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为：取向膜、调谐电极和玻璃；液晶盒中贮存有液晶（5）。