[发明专利]含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜及生长方法有效
| 申请号： | 201310578349.9 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103646961B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 倪金玉;李忠辉;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L33/32;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是硅基III族氮化物薄膜高阻寄生导电层及生长方法，其结构包含硅衬底和硅基III族氮化物薄膜，其中硅基III族氮化物薄膜包含氮化铝成核层、过渡层和氮化镓层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和过渡层之间。生长方法1）采用111面单晶硅为衬底；2）在氢气气氛下采用低的温度对硅衬底进行10分钟的退火处理；3）采用低的温度生长氮化铝成核层；4）在氮化铝成核层上生长过渡层和氮化镓层。优点可降低III族金属原子的扩散系数，减小扩散进入硅衬底的III族金属原子的剂量，寄生导电层具有差的导电性。由此研制的微波功率器件，漏电和微波能量损失小，可获得良好的击穿性能、功率输出性能、信号增益和工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 含高阻 寄生 导电 iii 氮化物 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜，其结构包含硅衬底和硅基III族氮化物薄膜，其中硅基III族氮化物薄膜包含氮化铝成核层、过渡层和氮化镓层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和过渡层之间；在硅衬底的上表面会形成寄生导电层；含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜的生长方法，包括如下步骤：1）采用111面单晶硅为衬底，将它置于金属有机物化学气相淀积MOCVD设备的反应室中；2）在氢气气氛下对硅衬底进行10分钟的退火处理，处理温度为1000℃；3）生长氮化铝成核层，生长温度为低温650℃；4）在氮化铝成核层上生长过渡层和氮化镓层，完成III族氮化物薄膜的生长；使得寄生导电层的Ga原子在硅表面只有1×1017cm‑3左右，离硅表面1μm处，Ga原子浓度已经下降到1×1015cm‑3以下。
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