[发明专利]一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201310580290.7 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103594302A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 邹继军;郭栋;朱志甫;彭新村;邓文娟;王炜路;冯林;张益军;常本康 | 申请（专利权）人： | 东华理工大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330013 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光阴极，GaAs纳米线材料激活成光阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 纳米 阵列 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs纳米线阵列光阴极，包括GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层，其特征在于：所述GaAs衬底层，厚度为200‑400μm，p型掺杂浓度(0.5‑2)×1019cm‑3。
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