[发明专利]一种二硫化钼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310580576.5 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN103681940A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 林时胜;李文渊;张金石 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/113 分类号: H01L31/113;H01L31/0352;H01L31/0296;H01L31/18
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 韩介梅
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开的二硫化钼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层,n=1-4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有ZnO量子点层,ZnO量子点层中的ZnO量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括:将用胶带从二硫化钼晶体上剥离的二硫化钼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上;在二硫化钼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极;用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极,制备ZnO量子点溶液;将ZnO量子点溶液涂覆到二块金电极之间的二硫化钼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。
搜索关键词: 一种 二硫化钼 氧化锌 量子 混合 场效应 晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种二硫化钼‑氧化锌量子点混合场效应光晶体管,其特征在于自下而上依次有Si层(1)和SiO2层(2)的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层(3),n=1‑4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极(4)、在两块金电极(4)之间有ZnO量子点层(5),ZnO量子点层(5)中的ZnO量子点的直径为3‑8nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310580576.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top