[发明专利]一种二硫化钼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管及其制造方法无效
申请号: | 201310580576.5 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN103681940A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 林时胜;李文渊;张金石 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0352;H01L31/0296;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开的二硫化钼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层,n=1-4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有ZnO量子点层,ZnO量子点层中的ZnO量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括:将用胶带从二硫化钼晶体上剥离的二硫化钼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上;在二硫化钼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极;用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极,制备ZnO量子点溶液;将ZnO量子点溶液涂覆到二块金电极之间的二硫化钼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。 | ||
搜索关键词: | 一种 二硫化钼 氧化锌 量子 混合 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种二硫化钼‑氧化锌量子点混合场效应光晶体管,其特征在于自下而上依次有Si层(1)和SiO2层(2)的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层(3),n=1‑4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极(4)、在两块金电极(4)之间有ZnO量子点层(5),ZnO量子点层(5)中的ZnO量子点的直径为3‑8nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的