[发明专利]具有集成保护结构的结隔离阻断电压装置及其形成方法

摘要

提供了结隔离阻断电压装置及其形成方法。在具体实施方式中，阻断电压装置包括电连接至第一p阱的阳极终端、电连接至第一n阱的阴极终端、电连接至第二p阱的接地终端、以及用于隔离第一p阱和p型衬底的n型隔离层。第一p阱和第一n阱操作作为阻塞二极管。阻断电压装置还包括与第一n阱中形成的P+区域、第一n阱、第一p阱和第一p阱中形成的N+区域相关的PNPN硅控整流器(SCR)。此外，阻断电压装置还包括与第一p阱中形成的N+区域、第一p阱、n型隔离层、第二p阱以及第二p阱中形成的N+区域相关的NPNPN双向SCR。

主权项

一种设备，包括：p型衬底；布置在p型衬底中的第一p型阱，其中第一p型阱包括电连接至第一终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区；布置在p型衬底中的与第一p型阱邻接的第一n型阱，其中第一n型阱包括电连接至第二终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区；布置在p型衬底中的第二p型阱，其中第二p型阱包括电连接至第三终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区；以及处于第一p型阱、第一n型阱以及第二p型阱的至少一部分下方的n型隔离层，其中第一p型阱和第一n型阱被配置成操作作为阻塞二极管，其中第一n型阱的至少一个p型有源区、第一n型阱、第一p型阱以及第一p型阱的至少一个n型有源区被配置成操作作为PNPN硅控整流器，以及其中第一p型阱的至少一个n型有源区、第一p型阱、n型隔离层、第二p型阱和第二p型阱的至少一个n型有源区被配置成操作作为NPNPN双向硅控整流器。