[发明专利]高性能可扩展只读存储器单元

摘要

本发明涉及一种二位只读存储器（ROM）单元以及检测其数据状态的方法。阵列中的每个ROM单元包括单一n沟道金属‑氧化物‑半导体（MOS）晶体管，该晶体管带有偏置参考电压的源极，以及晶体管的漏极，该漏极通过接触或通孔连接至阵列中与其列相关的第一、第二和第三位线中的一个或一个都不连接。阵列中的每一行与用于该行的单元的晶体管栅极的字线有关。为了读出，列选择电路响应列地址，选择三个位线中的一对使其以线“或非”方式应用到读出线中。

主权项

一种集成电路中的只读存储器，即ROM，其包括：存储单元阵列，其按行和列排列；多个字线，其每个与所述阵列中的存储单元的行相关；和多个位线，其排列成包括第一、第二和第三位线的组，每个组与所述阵列中的存储单元的列相关；读出放大器，其与所述阵列中的存储单元的一列或多列相关；以及多个列选择电路，每个所述列选择电路与所述列中的一列相关，其用来将与所述列相关的第一、第二和第三位线的第一和第二对耦合至所述读出放大器；其中每个存储单元包括：晶体管，其具有源极区和漏极区，其安置在与所述存储单元的行相关的字线中的一个的对立侧；并且至多一个连接，其在所述晶体管的漏极区和与所述存储单元的所述列相关的所述第一、第二和第三位线之间。