[发明专利]集成电路封装及制造方法有效
| 申请号： | 201310581594.5 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103839897B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | J·M·威廉姆森;N·夏海迪;Y·庞 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开一种集成电路（IC）封装器件，其包含基板，该基板具有顶表面、多个平行的导体层、多个绝缘层和延伸穿过导体层和绝缘层的多个电镀穿孔（PTH），其中所述顶表面具有IC管芯安装区域和包围该安装区域的外周区域域。本申请公开了各种基板结构，其中某些PTH和/或导体层和/或绝缘层具有与其他元件不同的CTE。所述各种结构可以减少由于与基板和IC管芯之间的CTE不匹配相关的基板变形和/或焊料接头损伤所导致的电路失效。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路封装件，其包括：基板，其具有：顶表面，所述顶表面具有集成电路管芯安装区域和包围所述安装区域的外周区域；多个大致平行的导体层；以及在垂直于所述导体层的方向上延伸穿过所述导体层的多个电镀穿孔，所述多个电镀穿孔包括位于所述集成电路管芯安装区域之下并利用具有第一填料热膨胀系数的填料材料填充的第一部分以及位于所述外周区域之下并利用具有大于所述第一填料热膨胀系数的第二填料热膨胀系数的材料填充的第二部分，以及附连到所述管芯安装区域的管芯。
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