[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310581642.0 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103594475A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李迪 | 申请（专利权）人： | 唐棕 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 421002 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法，其中所述半导体器件包括：第一区域，第一区域包括堆叠的多个器件单元，所述多个器件单元的相邻器件单元由层间绝缘层隔开，并且每一个器件单元包括相应的栅极导体；以及第二区域，第二区域与第一区域邻接，所述层间绝缘层和所述栅极导体从第一区域延伸至第二区域，第二区域包括分别将栅极导体与导线相连接的导电通道，其中，所述第二区域还包括用于支撑所述层间绝缘层和所述栅极导体的支撑柱。该支撑柱在制造工艺中为悬空层提供了机械支撑，并且在最终的器件中还用于支撑栅极导体，从而提高了半导体器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括:第一区域，第一区域包括堆叠的多个器件单元，所述多个器件单元的相邻器件单元由层间绝缘层隔开，并且每一个器件单元包括相应的栅极导体；以及第二区域，第二区域与第一区域邻接，所述层间绝缘层和所述栅极导体从第一区域延伸至第二区域，第二区域包括分别将栅极导体与导线相连接的导电通道，其中，所述第二区域还包括用于支撑所述层间绝缘层和所述栅极导体的支撑柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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