[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310582995.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104241525A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 郑夏彰;李恩侠 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种可变电阻存储器件及其制造方法。所述可变电阻存储器件包括：多层绝缘层，形成在形成有下电极的半导体衬底上，并且包括直径在第一高度或更高处增大的多个孔；可变电阻材料层，形成在下电极上至每个孔的第二高度；以及上电极，形成在可变电阻材料层上以掩埋在每个孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可变电阻存储器件，包括：多层绝缘层，所述多层绝缘层形成在形成有下电极的半导体衬底上，并且包括直径在第一高度或更高处增大的多个孔；可变电阻材料层，所述可变电阻材料层形成在所述下电极上至每个所述孔的第二高度；以及上电极，所述上电极形成在所述可变电阻材料层上以掩埋在每个所述孔中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310582995.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种人参酒的制备方法
- 下一篇：润滑剂组合物的粘度指数改性剂
