[发明专利]包括凹槽中的应力源的半导体器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括有源区；栅电极，其在所述有源区上；隔离物，其位于所述栅电极的侧部上；沟槽，其在与所述栅电极的侧部相邻的所述有源区中，其中所述沟槽包括所述有源区的凹口部分；轻掺杂漏极，其在与所述栅电极的侧部相邻的所述有源区中；晕环，其形成在所述有源区中，并且覆盖所述轻掺杂漏极的侧面和底部；嵌入式应力源，其在所述沟槽中；以及快刻蚀区，其在所述轻掺杂漏极与所述嵌入式应力源之间，其中所述快刻蚀区包括磷，其中分别形成所述轻掺杂漏极与所述嵌入式应力源，其中所述隔离物包括位于所述栅电极的侧壁上的第一隔离物、位于所述第一隔离物上的第二隔离物和位于所述第二隔离物上的第三隔离物，其中所述嵌入式应力源包括下部半导体层以及位于所述下部半导体层上的上部半导体层，所述下部半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层在所述沟槽的表面与所述第一半导体层之间，其中所述第二半导体层与所述第一隔离物接触，其中所述上部半导体层的第一宽度窄于所述下部半导体层的第二宽度，并且所述上部半导体层的侧表面的对准线偏移于所述下部半导体层的外侧表面，并且其中所述上部半导体层的最上表面高于所述有源区的最上表面。