[发明专利]晶圆级微透镜压印成型方法无效
申请号: | 201310585537.4 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN103579467A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 谢海忠;王莉;杨华;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种晶圆级微透镜压印成型方法,包括以下步骤:步骤1:将半导体发光二极管芯粒固定在晶圆级基板上;步骤2:在晶圆级基板和芯粒上方涂覆均匀的光敏胶;步骤3:将晶圆级基板、芯粒及涂覆有光敏胶一起固化;步骤4:固化完成后,在光敏胶的表面光刻、曝光,形成掩膜图形;步骤5:显影、刻蚀,将光敏胶刻蚀成半球形透镜,完成制备。本发明可以大大提高出光效率,使得发光二极管外量子效率提升,特别适合大规模的产业化制作微透镜。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级微 透镜 压印 成型 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆级微透镜压印成型方法,包括以下步骤:步骤1:将半导体发光二极管芯粒固定在晶圆级基板上;步骤2:在晶圆级基板和芯粒上方涂覆均匀的光敏胶;步骤3:将晶圆级基板、芯粒及涂覆有光敏胶一起固化;步骤4:固化完成后,在光敏胶的表面光刻、曝光,形成掩膜图形;步骤5:显影、刻蚀,将光敏胶刻蚀成半球形透镜,完成制备。
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