[发明专利]一种基于MEMS的金属氧化物气体传感器及制备工艺有效
| 申请号： | 201310586102.1 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103675048A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王海容;陈磊;王嘉欣;孙侨;肖利辉;孙全涛;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MEMS的金属氧化物气体传感器及制备工艺，其特征在于，气体传感器由Si基底、绝缘层、两个薄膜电阻加热元件、矩形微阵列、一对敏感电极及生长在矩形微阵列上的金属氧化物三维多级纳米结构组成。Si基底下部被各向异性湿法刻蚀去掉部分Si。在正面，加热元件与敏感电极按中心对称、螺旋形式布置，矩形微阵列居中心位置，三者处同一层。加热元件兼做测温元件。采用水热法合成的纳米结构通过相互交叉的枝状结构实现桥式电学连接，最终与敏感电极相连，通过改变矩形微阵列排列方式、更换不同种类的纳米材料，可加工出不同测量通路、基于不同种类敏感物质的金属氧化物纳米气体传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 金属 氧化物 气体 传感器 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种基于MEMS的金属氧化物气体传感器，自下而上分别为掩蔽层、Si基底、绝缘层,其中Si基底背部开有绝热槽，其特征在于，所述绝缘层上设置有一对加热元件及引线盘、一对敏感电极及引线盘、矩形微阵列，所述矩形微阵列位于绝缘层上的中心区域，该矩形微阵列上生长有金属氧化物三维多级纳米结构，该结构通过相互交叉的枝状搭接实现电学连接。
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