[发明专利]模板辅助矩阵式微柱结构CsI(Tl)闪烁转换屏的制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201310586385.X 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN103614694A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 顾牡;姚达林;刘小林;刘波;黄世明;倪晨 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/24;G21K4/00
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 张磊
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种模板辅助矩阵式微柱结构CsI(Tl)闪烁转换屏的制备方法及其应用。该方法使用的模板衬底为刻有矩阵式矩形微孔阵列的硅片,以CsI(Tl)粉末为原料,采用热蒸镀技术,在模板衬底上制备闪烁薄膜,通过对模板衬底上微孔周期等的调控,实现对转换屏微柱形貌、均匀性、线宽、排列情况等的有效控制,获得了具有矩阵式微柱结构的CsI(Tl)闪烁转换屏,近乎垂直于屏面、结晶性能好、排列规则的闪烁微柱可更好地与后续探测器件耦合,从而使X射线成像器件的空间分辨率得到提高,可同时满足高空间分辨率和高探测效率的要求。此方法制备得到的具有矩阵式微柱结构的CsI(Tl)闪烁转换屏与光电探测器件耦合后可应用于高分辨率数字X射线成像。本发明适合于工业化生产,推广应用价值高。
搜索关键词: 模板 辅助 矩阵 式微 结构 csi tl 闪烁 转换 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种使用模板辅助的矩阵式微柱结构CsI(Tl)闪烁转换屏的制备方法,其特征在于具体步骤如下:(1) 选用(100)晶面取向的硅片作为模板衬底,采用各向异性湿法腐蚀方法加工矩阵排列的矩形微孔阵列,微孔周期与所要制备转换屏的微柱线度相当,为2~10μm,微孔深度为1~2μm;(2) 以步骤(1)所得的硅片作为模板衬底,固定在蒸镀室上方的工件架上,然后称取适量CsI(Tl)粉末置于蒸镀舟内,蒸镀舟与衬底的距离在5~25cm之间,蒸镀舟与衬底之间设有挡板;(3) 打开真空泵,控制蒸镀室的真空度为1.0×10‑6‑5.0×10‑3Pa;(4) 工件架配有加热及旋转设备,在抽真空过程中可调整衬底温度,衬底温度控制在100~300℃之间;在开始蒸镀薄膜前使工件架以45‑75rpm的转速匀速旋转;(5) 待真空度及衬底温度达到平衡后,可按需调节进气阀,注入微量氩气,氩气流量控制在:≦60sccm,或气压控制在:≦ 1.0Pa;打开蒸镀舟加热电源,将蒸镀舟加热至450‑550℃,并保持温度不变;(6) 待蒸镀舟达到预定温度后,打开挡板,开始蒸发,通过测厚仪在线测量所制备转换屏的薄膜厚度,待薄膜厚度达到预定要求后,关闭挡板、蒸镀舟电源及衬底加热电源;(7) 真空环境自然冷却至室温后关闭真空阀,充入干燥气体后取出,得到的CsI(Tl)闪烁转换屏置于干燥环境中储存。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学,未经同济大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310586385.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top