[发明专利]复合渐变折射层结构及包括此结构的封装结构无效
| 申请号： | 201310586720.6 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887441A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈俊廷;林昆蔚;赖丰文 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的提供一种复合渐变折射层结构及包括此结构的封装结构，该复合渐变折射层结构包括：一基板；以及一复合渐变折射层，形成于该基板上，其中该复合渐变折射层具有一第一表面与一第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成，且该复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减。本发明另提供一种包括此复合渐变折射层结构的封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 渐变 折射 结构 包括 封装 | ||
【主权项】：
一种复合渐变折射层结构，包括：基板；以及复合渐变折射(graded refractive index,GRI)层，形成于该基板上，其中该复合渐变折射层具有第一表面与一第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成，且该复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310586720.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种走台板组件及应用该组件的工程机械
- 下一篇：腐蚀气体探测装置和计算机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
