[发明专利]共源共栅半导体设备有效
| 申请号： | 201310587250.5 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103840821B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 罗斯·马塞厄斯;简·雄斯基;鲁特尔·菲利普 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 麦善勇,张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 共源共栅功率半导体电路，具有位于GaN或SiC场效应晶体管（10）的源极和栅极之间的箝位电路，为共源共栅MOSFET晶体管提供雪崩保护。 | ||
| 搜索关键词： | 共源共栅 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种共源共栅晶体管电路，其特征在于，包括：GaN或SiC场效应晶体管，该GaN或SiC场效应晶体管具有直接连接到高电源轨的漏极和直接连接到低电源轨的栅极；硅MOSFET，该硅MOSFET具有连接到GaN或SiC场效应晶体管的源极的漏极和连接到低电源轨的源极；和位于GaN或SiC场效应晶体管的源极和栅极之间的箝位电路(18)；所述箝位电路包括二极管电路，并配置为在正向偏置模式时分流电流，以箝位所述硅MOSFET的源极与漏极之间的电压。
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