[发明专利]一种制备氧化锂或单晶氢氧化锂的方法有效
申请号: | 201310588686.6 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN103603028A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 高炳亮;王兆文;张世镖;石忠宁;胡宪伟;于江玉 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | C30B1/10 | 分类号: | C30B1/10;C30B29/10 |
代理公司: | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人: | 梁焱 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种制备氧化锂或单晶氢氧化锂的方法,属于材料技术领域,按以下步骤进行:(1)将单水氢氧化锂置于坩埚中,然后在真空度50~150Pa条件下加热至90~120℃,保温2~3h;(2)将去除自由水的单水氢氧化锂在真空度50~150Pa条件下加热至200~250℃,保温2~3h,然后以5~15℃/min的速度升温至700~1000℃,保温4~10h;(3)在真空度50~150Pa条件下,将坩埚内的物料随炉冷却至70~100℃,然后将坩埚置于手套箱内降至常温,获得氧化锂或单晶氢氧化锂。本发明的方法相对于传统的方法具有的优点是所用原料易取、好保存,采用的工艺流程简单实用,生产成本比较低,设备投资较少;获得的产品纯度高,并且产率高,质量稳定。 | ||
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【主权项】:
一种制备氧化锂或单晶氢氧化锂的方法,其特征在于按以下步骤进行:(1)将单水氢氧化锂置于坩埚中,然后在真空度50~150Pa条件下加热至90~120℃,保温2~3h,去除自由水;所述的坩埚为刚玉坩埚、氧化镁坩埚或镍坩埚;(2)将去除自由水的单水氢氧化锂在真空度50~150Pa条件下加热至200~250℃,保温2~3h,去除结晶水,然后以5~15℃/min的速度升温至700~1000℃,保温4~10h;(3)在真空度50~150Pa条件下,将坩埚内的物料随炉冷却至70~100℃,然后将坩埚置于手套箱内降至常温,获得氧化锂或单晶氢氧化锂。
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