[发明专利]超薄石英基片上光刻刻蚀薄膜电路图形的方法有效
| 申请号： | 201310589287.1 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103633004A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 曹乾涛;路波;王斌;宋振国;胡莹璐;孙建华;龙江华;邓建钦 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 发明提供一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀薄膜电路图形的方法，通过使用紫外敏感正性光刻胶作为粘结剂将超薄石英基片与承载基片抛光面粘接形成临时键合体，然后在超薄石英基片上表面进行薄膜电路图形的光刻和刻蚀。采用上述方案，工艺简单易行，成本低廉，良品率高；超薄石英基片的取放使用真空笔吸附，避免人为损坏基片带来废品；该支撑基片还可重复利用，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 石英 基片上 光刻 刻蚀 薄膜 电路 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀薄膜电路图形的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤101：将超薄石英基片双面抛光并将其设置形成金属薄膜，设置承载基片的至少一面为抛光面；步骤102：将超薄石英基片的金属薄膜表面朝上，超薄石英基片的另一面与承载基片的抛光面通过光刻胶粘接形成一临时键合体；步骤103：经过涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影和后烘后，在超薄石英基片的金属薄膜上形成抗蚀剂图形；步骤104：将抗蚀剂图形通过湿法刻蚀或干法刻蚀后传递到金属薄膜上；步骤105：去除光刻胶，并将临时键合体分离，得到一形成薄膜电路图形的超薄石英基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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