[发明专利]具有浮结结构的IGBT无效
| 申请号： | 201310589366.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103594503A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 曹琳 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有浮结结构的IGBT，所述IGBT包括漂移区、位于所述漂移区上方的p型区及n型区、位于所述漂移区下方的缓冲层、以及位于所述缓冲层下方的注入层，所述漂移区内形成有若干浮结。本发明将电荷补偿原理设计的浮结结构应用在IGBT漂移区中，能保证相同耐压的同时提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻及正向压降，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 igbt | ||
【主权项】：
一种具有浮结结构的IGBT，所述IGBT包括漂移区、位于所述漂移区上方的p型区及n型区、位于所述漂移区下方的缓冲层、以及位于所述缓冲层下方的注入层，其特征在于，所述漂移区内形成有若干浮结。
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