[发明专利]基于双TFT调制的有机电致发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310589620.9 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN103594636B 公开(公告)日: 2017-07-25
发明(设计)人: 郭坤平;张琪;刘诗琦;李明;魏梦杰;徐韬;魏斌 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01S5/30
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 代理人: 陆聪明
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种基于双TFT调制的有机电致发光器件及其制备方法,发光器件包括透明衬底,空穴传输层源极,空穴传输层漏极,空穴传输层,发光层引出电极;发光层,电子传输层,电子传输层源极,电子传输层漏极;本方法为在镀有高功函数源漏电极以及发光层引出电极的玻璃基板上采用高真空蒸镀的方法或旋涂发依次生长空穴传输层,发光层,电子传输层,最后采用真空蒸镀的方法蒸镀低功函数源漏电极。本发明通过新型的双TFT结构设计,能够主动调控电子和空穴的复合效率,且器件中电子和空穴的利用率能够达到100%。克服了传统电致发光器件中电子和空穴的被动复合,巧妙实现了发光器件性能的主动调控。
搜索关键词: 基于 tft 调制 有机 电致发光 激光 发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于双TFT调制的有机电致发光器件,其特征在于:包括透明衬底(1),空穴传输层源极(2),空穴传输层漏极(3),空穴传输层(4),发光层(5),电子传输层(6),发光层引出电极(7),电子传输层漏极(8),电子传输层源极(9);在透明衬底(1)上生长空穴传输层源极(2)和空穴传输层漏极(3),在两电极及透明衬底(1)上生长空穴传输层(4);在空穴传输层(4)上生长发光层(5),在发光层(5)上生长电子传输层(6);在电子传输层(6)上同时生长发光层两侧引出电极(7)及电子传输层漏极(8)和电子传输层源极(9)。
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