[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构的形成方法，可以包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成M层III族氮化物层和N层富III族金属插入层，其中M≥N≥1，其中，富III族金属插入层位于III族氮化物层下方且紧邻III族氮化物层和/或位于相邻两层III族氮化物层之间，其中，富III族金属插入层为ANw，其中A表示III族金属元素B、Al、Ga、In中的一种或多种组合，并且0＜w＜1。该方法由于引入了富III族金属插入层，使得III族氮化物层中的下层位错向上延伸受到抑制，起到了降低穿通位错密度的作用，使外延层表面更加平整，并减少表面针孔等缺陷，改善了半导体结构的表面形貌。本发明还公开的相应的半导体结构。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成M层III族氮化物层和N层富III族金属插入层，其中M≥N≥1，其中，所述富III族金属插入层位于所述III族氮化物层下方且紧邻所述III族氮化物层和/或位于相邻两层所述III族氮化物层之间，其中，所述富III族金属插入层为ANw，其中A表示III族金属元素B、Al、Ga、In中的一种或多种组合，并且0＜w＜1。