[发明专利]铁掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法有效
| 申请号： | 201310589962.0 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103603046A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张庆礼;张琦 | 申请（专利权）人： | 安徽火天晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 244000 安徽省铜陵*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种铁掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法，其分子式为La3Ga5(1-x)Fe5xSiO14(0 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 硅酸 晶体 及其 熔体法 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种铁掺杂硅酸镓镧晶体，其特征在于：其分子式可表示为La3Ga5(1‑x)Fe5xSiO14，其中x的取值范围为：0
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