[发明专利]基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法有效

专利信息
申请号: 201310591009.X 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN103681962A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 夏辉;李天信;姚碧霂;卢振宇;陈平平 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法,该方法的核心工艺包括:竖直排列纳米线的旋涂包裹支撑、低温热处理、电极的配置等。该方法对于半导体纳米线的尺寸、力学强度等没有特殊要求,因而将不仅仅局限于常规的Si、ZnO等耐冲击材料体系的的纳米线探测器制备,同时适于研发GaAs、InAs等III-V族以及其他材料体系的纳米线器件。另一方面所采用的低折射率旋涂介质以及低温热处理工艺等将有助于大幅提升纳米线器件的光电探测性能,这也是一直以来器件研发中所忽视的问题。该方法可以直接对外延生长的半导体纳米线进行器件制备,因此尤其适用于高灵敏度、大规模阵列型光电探测器的研发。
搜索关键词: 基于 竖直 排列 半导体 纳米 光电 探测器 制备 方法
【主权项】:
一种基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)对竖直排列纳米线进行绝缘旋涂包裹。采用机械旋涂的方法,旋涂介质的粘稠度应在300‑500mPa之间,固化后介质的折射率小于纳米线的折射率;2)对旋涂介质的低温烘焙固化,温度小于150℃;3)通过抛光减薄纳米线及其支撑介质,使纳米线顶端裸露出来;4)第一次光刻,制备器件顶端透明电极的图形结构;5)蒸镀ITO透明电极、浮胶及退火,以作为竖直排列纳米线的顶端接触电极;6)第二次光刻,制备延伸电极的图形结构;7)蒸镀延伸金属电极、浮胶、退火,作为纳米线的电学测试用电极;8)试样基片形成欧姆接触,用来作为公共下电极。
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