[发明专利]改善的栅极间的外延生长有效
| 申请号： | 201310593960.9 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104051249B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林文杰;曾仁洲;宋明相 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路器件，包括生长在衬底上的至少两个外延生长有源区，有源区置于两个栅极器件之间。该器件还包括位于两个外延生长有源区之间的至少一个伪栅极。每个有源区的长度都大致相同。本发明还公开了改善的栅极间的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 栅极 外延 生长 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：生长在衬底上的至少两个外延生长有源区，所述外延生长有源区放置于两个栅极器件之间；以及位于两个所述外延生长有源区之间的至少一个伪栅极；其中，每个外延生长有源区的长度都大致相同，位于所述栅极器件和所述伪栅极之间的所述外延生长有源区的长度选择为使得负载效应降低到阈值水平之下，并且使得所述外延生长有源区的长度在所述负载效应和静电放电性能之间折衷；其中，所述外延生长有源区是鳍结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
