[发明专利]采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法无效
| 申请号： | 201310594632.0 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103594334A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 査国伟;牛智川;倪海桥;尚向军;贺振宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：利用带有纳米压印功能的原子力显微镜，在缓冲层上制备周期阵列的纳米孔洞；步骤4：在周期阵列的纳米孔洞和缓冲层上生长纳米缓冲层；步骤5：在纳米缓冲层上对应纳米孔洞的位置生长定位量子点；步骤6：在定位量子点和纳米缓冲层上生长盖层，完成制备。本发明具有图形精度高、机械损伤小、量子点光电学性质好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 afm 纳米 压印 图形 衬底 生长 定位 量子 mbe 方法 | ||
【主权项】：
一种采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：利用带有纳米压印功能的原子力显微镜，在缓冲层上制备周期阵列的纳米孔洞；步骤4：在周期阵列的纳米孔洞和缓冲层上生长纳米缓冲层；步骤5：在纳米缓冲层上对应纳米孔洞的位置生长定位量子点；步骤6：在定位量子点和纳米缓冲层上生长盖层，完成制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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